화학공학소재연구정보센터
  • 반도체 기판의 비활성면 상에 박막을 형성하는 장치 및 방법
  • 국제 특허분류 : H01L-021/02, C23C-016/455, H01L-021/67, H01L-021/683, H01L-021/687, H05H-001/46
  • 출원번호/일자 : 10-2018-0037669 (2018/03/30)
  • 공개번호/일자 : 10-2019-0114648 (2019/10/10)
  • 출원인 : 삼성전자주식회사
  • 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 장치는, 반도체 소자가 형성되는 활성면 및 활성면과 대향하는 비활성면을 가지는 반도체 기판을 수용하는 챔버 하우징, 반도체 기판의 비활성면에 박막을 형성하기 위하여 챔버 하우징 내부로 공정 가스를 공급하는 제1 공급부, 반도체 기판의 활성면에 박막의 형성을 방지하기 위하여 챔버 하우징 내부로 퍼지 가스를 공급하는 제2 공급부, 및 반도체 기판을 지지하고 반도체 기판의 비활성면을 공정 가스에 노출시키는 서셉터를 포함하되, 서셉터는 반도체 기판의 비활성면을 노출하기 위한 센터홀 및 센터홀을 정의하고 반도체 기판을 정전기력으로 고정하는 환형부를 포함한다.
  • 원문링크 : KISTI NDSL