화학공학소재연구정보센터
  • 포토레지스트 탑코트 조성물 및 포토레지스트 조성물을 가공하는 방법
  • 국제 특허분류 : G03F-007/004, C07C-069/653, G03F-007/11
  • 출원번호/일자 : 10-2016-0057183 (2016/05/10)
  • 공개번호/일자 : 10-2016-0133370 (2016/11/22)
  • 출원인 : 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
  • 하기를 포함하는 포토레지스트 탑코트 조성물: 일반식 (I)의 제2 반복 단위 및 일반식 (II)의 제2 반복 단위를 포함하는 제1 폴리머: (식 중: R 1 은 독립적으로 H, F 또는 임의로 플루오르화된 C1 내지 C4 알킬을 나타내고; R 2 는 임의로 플루오르화된 선형, 분지형 또는 사이클릭 C1 내지 C20 알킬을 나타내고; L 1 은 단일 결합 또는 다가 연결 그룹을 나타내고; 그리고 n은 1 내지 5의 정수임); 일반식 (III)의 제1 반복 단위 및 일반식 (IV)의 제2 반복 단위를 포함하는 제2 폴리머: (식 중: R 3 은 독립적으로 H, F 또는 임의로 플루오르화된 C1 내지 C4 알킬을 나타내고; R 4 는 선형, 분지형 또는 사이클릭 C1 내지 C20 알킬을 나타내고; R 5 는 선형, 분지형 또는 사이클릭 C1 내지 C20 플루오로알킬을 나타내고; L 2 은 단일 결합 또는 다가 연결 그룹을 나타내고; 그리고 n은 1 내지 5의 정수임); 및 용매. 상기 기재된 탑코트 조성물로 도포된 코팅된 기판 및 포토레지스트 조성물을 가공하는 방법이 또한 제공된다. 본 발명은 반도체 소자의 제조에서 특정한 적용가능성을 발견한다.
  • 원문링크 : KISTI NDSL