화학공학소재연구정보센터
  • 가열된 기판과 냉각된 전해질을 사용하여 실리콘 관통 전극(TSV)에 구리 칩 대 칩, 칩 대 웨이퍼, 및 웨이퍼 대 웨이퍼 상호연결을 전기증착하는 방법
  • 국제 특허분류 : C25D-003/38, C25D-005/00, C25D-007/12, H01L-021/288
  • 출원번호/일자 : 10-2013-7003718 (2013/02/14)
  • 공개번호/일자 : 10-2013-0036067 (2013/04/09)
  • 출원인 : 아토테크 도이칠란드 게엠베하
  • 본 발명은, 실리콘 기판을 유지하고 실리콘 기판을 제 1 온도로 가열하도록 조절된 척(chuck)과, 전해조의 온도를 제 2 온도로 유지하기 위한 온도 제어 장치{상기 제 1 온도는 약 30°C 내지 약 60°C의 범위에서 유지되고, 상기 제 2 온도는 (a) 제 1 온도보다 적어도 5°C 낮고, (b) 약 15°C 내지 약 35°C의 범위인 온도에서 유지됨}를 포함하는 전해 금속 도금 시스템에서, 산화환원 매개체(redox mediator)를 포함하는 전해조(electrolytic bath)를 사용하여, 실리콘 관통 전극(through-silicon vias)(TSV)을 형성하기 위해 실리콘 기판에서 높은 종횡비(aspect ratio)의 바이어(via)에 금속을 전기증착(electrodepositing)하는 방법에 관한 것이다.
  • 원문링크 : KISTI NDSL