화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교)
권호 12권 2호
발표분야 나노 및 생체 재료
제목 역 임프린트를 이용한 sub micron급 2차원 나노 패턴의 적층 구조물 제작
초록 나노 임프린트 리소그래피 기술은 고집적된 나노 구조물을 경제적으로 형성시킬 수 있는 가장 유망한 차세대 리소그래피 기술로써 반도체 소자 뿐만아니라 디스플레이, 바이오 소자, 광학 소자등 다양한 분야에 적용이 가능하다. 나노 임프린트 리소그래피 기술 중 하나인 역 임프린트 기술은 몰드안에서 나노패턴을 형성 시킨 후 기판에 전사하는 방법으로 나노 임프린트에 비해 기판의 손상이 적으며, 보다 쉽게 다층 구조물의 형성이 가능하다. 역 임프린트 기술은 주로 몰드 위에 PMMA등의 레진을 스핀 코팅하여 패턴 형성 후 전사하는 방식이지만 이 논문에서는 UV 경화 레진 및 두개의 몰드를 사용하여 다층 구조 형성에 대해 연구하였다.
실험 내용은 우선 진공 챔버 내에서 쿼츠 몰드위에 레진을 도포한후 poly vinyl alcohol(PVA) 몰드로 덮은 후, 압력과 UV노광으로 레진을 경화 시켰으며, 쿼츠 몰드로 부터 PVA 몰드를 박리 시킴으로써 경화된 레진은 PVA몰드 쪽에 완전히 전사되게 되어 reversed layer를 만든다. 이것을 전사 시키기 위하여 UV-bond가 사용되었으며, 표면 개질된 실리콘 웨이퍼 위에 얇은 UV-bond layer를 형성하여 reversed layer를 접착시켰다. 이후 PVA의 수용성 성질을 이용하여 물에 담궈 PVA몰드만을 선택적으로 제거하였으며, 이와같은 공정의 반복으로 양면 패터닝된 2차원 구조를 적층하여 3차원 구조의 sub micron 구조물을 얻을 수 있었다.
저자 한강수, 홍성훈, 이 헌
소속 고려대
키워드 reversal imprint lithography (RIL); poly vinyl alcohol (PVA)
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