화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 )
권호 12권 1호
발표분야 반도체재료
제목 HWE법에 의한 ZnIn2S4 단결정 박막의 광학적 특성
초록 수평 전기로에서 ZnIn2S4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 ZnIn2S4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판 위에 성장시켰다. ZnIn2S4 단결정 박막은 증발원의 온도를 610 ℃, 기판의 온도를 450 ℃로 성장시켰고 성장 속도는 0.5 ㎛/hr로 확인되었다. ZnIn2S4 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10。K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 433nm (2.8633eV)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 133 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. ZnIn2S4 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10。K에서 측정된 ΔCr(crystal field splitting)은 0.1678 eV, ΔSo(spin orbit coupling)는 0.0148 eV였다. 10 。K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 9 meV와 26 meV 였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 130 meV 였다.
저자 이상열, 홍광준
소속 조선대
키워드 Hot Wall Epitaxy; single crystal thin film; Hall effect; photocurrent; photoluminescence
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