화학공학소재연구정보센터
번호 제목
5 Modified Hydride VPE법을 이용한 GaN 증착 공정의 열역학적 해석|Thermodynamic Analysis of the GaN Deposition Processesin a Modified Hydride VPE Reactor
서정찬, 최진식, 윤덕선, 여석기, 박진호|Jeongchan Seo, Jinsik Choi, Deoksun Yoon, Seokki Yeo, Chinho Park
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
4 사파이어 기판의 방향성에 따른 GaN 박막 성장|Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrate with Varying Orientations
이순애, 박진호|Soonae Lee, Chinho Park
한국화학공학회 1999년 가을 학술대회
3 Hydride VPE 법에 의한 GaN 박막성장|Growth of thin film GaN by Hydride VPE Technique
여석기, 박진호|Seokki Yeo, Chinho Park
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
2 MOCVD를 이용한 GaN박막 성장 및 특성 연구|Growth and Characterization of GaN film grown by MOCVD
양승현, 김선중, 심현욱, 서영훈, 남기석|S. H. Yang, S. J. Kim, H. W. Shim, Y. H. Seo, K. S. Nahm
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회
1 Chloride VPE (CVPE) 법을 이용한 GaN 증착공정의 열역학적 해석|Thermodynamic Analysis of GaN Deposition Process using Chloride VPE (CVPE) Technique
신희섭, 신무환, 박진호|Heesub Shin, Moo-Whan Shin, Chinho Park
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회