화학공학소재연구정보센터
번호 제목
3 Comparative Study on the Electrical Characteristics between Gate-First and Gate-Last Like Processed MOS Devices
Hoon Hee Han, Donghwan Lim, Yu-Rim Jeon, Jae Ho Lee, Changhwan Choi
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
2 Electrical Characterization of Atomic Layer Deposited La2O3 Capped HKMG Devices
임동환, 정우석, 최창환
한국재료학회 2014년 가을 학술대회
1 The Characterization of N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (nMOSFET) with Sputtered SrTiO3-Doped HfO2 Gate Dielectrics
최창환
한국재료학회 2010년 가을 학술대회