화학공학소재연구정보센터
Korean Chemical Engineering Research, Vol.43, No.1, 98-102, February, 2005
CVD법에 의해 성막된 구리의 표면 형상 및 충진 특성에 관한 연구
Surface Morphology and Hole Filling Characteristics of CVD Copper
E-mail:
초록
본 연구에서는 유기금속 전구체인(HFAC)Cu(DMB)을 이용하여 구리를 제조하고, 기판온도 및 요오드 화합물이 증착 구리막의 표면 형상 및 충진 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 증착 온도가 높을수록 표면 형상이 거칠어지고 충진 특성이 악화되었으며, 요오드를 사용하여 증착할 경우 거칠기와 충진 특성이 개선됨을 알 수 있었다. 이때 요오드 화합물과 전구체를 동시에 반응기에 유입할 경우보다 구리의 씨앗층을 증착하고 요오드 화합물을 반응기에 유입한 후 다시 구리 증착을 진행하는 경우가 좀 더 효과가 컸다.
This article describes a study of chemical vapor deposition (CVD) of copper thin films on TiN substrates using (HFAC)Cu(DMB) as a precursor. The surface morphology and conformality of the Cu films as functions of substrate temperature and the presence or absence of iodine have been investigated. The surface roughness was increased significantly along with decrement of the step coverage by increasing the deposition temperature. The highest conformal films with the lowest surface roughness were obtained using the process of copper CVD, where iodine vapor were discretely introduced into the reactor during the growth of copper.
  1. Chang CL, Lin CL, Chen MC, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 2442 (2004) 
  2. Awaya N, Arita Y, J. Electronic Mat., 21, 959 (1992)
  3. Kim DH, Lee YJ, Park CO, Park JW, Kim JJ, Chem. Eng. Commun., 152, 307 (1996)
  4. Doppelt P, Semaltianos N, Deville Cavellin C, Pastol JL, Ballutaud D, Microelectron. Eng., 76, 113 (2004) 
  5. Josell D, Wheeler D, Moffat TP, Electrochem and Solid State Lett., Superconformal Deposition by Surfactant-catalyzed Chemical Vapor Deposition, 5, C44-C47 (2002)
  6. Hwang ES, Lee J, Chem. Mater., 12, 2076 (2000) 
  7. Hwang ES, Lee J, Electrochem. Solid State Lett., 3, 138 (2000) 
  8. Choi KK, Pyo SG, Lee DW, Rhee SW, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 2962 (2002) 
  9. Choi KK, Rhee SW, J. Electrochem. Soc., 148(7), C473 (2001) 
  10. Senkevich JJ, Yang GR, Lu TM, Cale TS, Jezeweski C, Lanford WA, Chem. Vapor Depos., 8, 189 (2002) 
  11. Lin JL, Bent BE, J. Phys. Chem., 96, 8529 (1992)