화학공학소재연구정보센터
Journal of the Korean Industrial and Engineering Chemistry, Vol.6, No.5, 937-943, October, 1995
후기 경화조건이 DGEBA/MDA/SN계의 절연파괴특성에 미치는 영향
Effects of Post-Curing Conditions on Dielectric Breakdown Properties of DGEBA/MDA/SN System
초록
후기 경화조건이 열경화성 에폭시 수지 DGEBA/MDA/SN 계의 절연파괴 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하기 위하여 80℃에서 1.5시간 동안 1차 경화시킨 후 130℃와 150℃에서 후기 경화시간을 달리하여 경화시켜 전극간 거리가 1mm되게 시편을 제작하였다. 각각의 시편에 고전계를 인가하여 절연파괴강도를 측정하고 절연파괴 형상을 관찰하여 절연파괴 메카니즘에 대한 해석을 시도하였다. 후기 경화시간이 증가함에 따라 밀도는 1.2 (g/㎤) 정도에서 미소 증가하였으며, 유리 전이온도(Tg)는 9시간 후기 경화시켰을 때 111℃로 최고 값을 나타내었다. 절연파괴강도(EB)는 증가하다가 5시간 후기 경화되었을 때 25.7(kV/mm)로 최고 값을 나타내었다. 그러나 그 이상 경화되었을 때는 열 열화에 의해 오히려 감소되었다. 초기 트리는 후기 경화조건에 관계없이 고전압에서는 가지밀도가 낮았으며 저전압에서는 가지밀도가 높았다.
Investigated were the effects of post-curing conditions on the dielectric breakdown properties of thermoset DGEBA/MDA/SN system. The epoxy resin system with electrode gap of 1mm was first-cured at 80℃ for 1.5hr and post-cured at 130[℃] and 150[℃] respectively for various time periods. As the post-curing time increased, the density increased slightly from 1.2 [g/㎤] and glass transition temperature(Tg) was the highest value of 111℃ when postcured for 9hr. Dielectric breakdown strength(EB) increased to 25.7(kV/mm) and then decreased. The initial tree grown at lower voltage was more dense than the tree grown at higher voltage.
  1. Perkins JR, IEEE Trans. Electr. Insul., 6, 106 (1971)
  2. Mizutani T, T. IEE Jpn., 112A, 166 (1992)
  3. Cho SW, Shim MJ, Kim SW, J. Korean Mater. Res., 3, 271 (1993)
  4. Shim MJ, Kim SW, J. Korean Ind. Eng. Chem., 5(3), 517 (1994)
  5. Mathes KN, "Encyclopedia of Polymer Science and Engineering," 5, John Wiley & Sons, New York (1985)
  6. Cho Ys, Shim MJ, Kim SW, J. Korean Mater. Res., 6, 707 (1995)
  7. Seto K, Ito T, Ehara Y, T. IEE Jpn., 109A, 507 (1989)
  8. Bokare UM, Gandhi KS, J. Polym. Sci., 18, 857 (1980)
  9. Mason JH, Proc. IEE, 102C, 254 (1955)
  10. Nakanishi K, Hirabayashi S, IEEE Trans. Electr. Insul., 14, 306 (1979)
  11. Eichhorn RM, Conf. Rec. of the 1990 IEEE Int. Symp. on Electr. Insul., Canada (1990)
  12. Maruyama S, Kobayashi S, Kudo K, T. IEE Jpn., 113A, 480 (1993)