TY - JOUR PY - 2016 J2 - Solid-State Electron. SN - 0038-1101 T2 - Solid-State Electronics VL - 121 DO - 10.1016/j.sse.2016.03.008 TI - Instability investigation of In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with Al2O3 and Al2O3/HfO2 UR - https://www.cheric.org/research/tech/periodicals/view.php?seq=1463927 KW - Reliability KW - InGaAs KW - MOSFET KW - High-k KW - Logic AU - Kwon HM AU - Kim DK AU - Lim SK AU - Hwang HC AU - Son SW AU - Park JH AU - Park WS AU - Kim JS AU - Shin CS AU - Park WK AU - Lee JH AU - Kim T AU - Kim DH SP - 16 EP - 19 LA - English ER -